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VSHFA15TB60-N3-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VSHFA15TB60-N3-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式结构, 具有15A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)仅为10μA, 表现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达150A, 适用于对开关速度和能量转换效率有较高要求的电源整流、逆变器及高频变换器等电路中, 能够有效支持系统稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

VSHFA15TB60-N3-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存24

VSHFA15TB60-N3-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式结构, 具有15A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)仅为10μA, 表现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达150A, 适用于对开关速度和能量转换效率有较高要求的电源整流、逆变器及高频变换器等电路中, 能够有效支持系统稳定运行。

VSHFA15TB60-N3-HXY特性

暂无产品特性。

VSHFA15TB60-N3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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