VSHFA15TB60-N3-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VSHFA15TB60-N3-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式结构, 具有15A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)仅为10μA, 表现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达150A, 适用于对开关速度和能量转换效率有较高要求的电源整流、逆变器及高频变换器等电路中, 能够有效支持系统稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
VSHFA15TB60-N3-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
VSHFA15TB60-N3-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式结构, 具有15A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)仅为10μA, 表现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达150A, 适用于对开关速度和能量转换效率有较高要求的电源整流、逆变器及高频变换器等电路中, 能够有效支持系统稳定运行。
VSHFA15TB60-N3-HXY特性
暂无产品特性。
VSHFA15TB60-N3-HXY应用领域
暂无应用领域。
