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VSHFA15TB60-M3-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VSHFA15TB60-M3-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在瞬态条件下可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 器件具备快速恢复特性和较低的导通损耗, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及高频整流等电力电子应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

8

货期

现货

VSHFA15TB60-M3-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存8

VSHFA15TB60-M3-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在瞬态条件下可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 器件具备快速恢复特性和较低的导通损耗, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、逆变及高频整流等电力电子应用。

VSHFA15TB60-M3-HXY特性

暂无产品特性。

VSHFA15TB60-M3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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