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VSHFA08TB60-N3-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VSHFA08TB60-N3-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 展现出良好的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流能力达100A, 适用于对开关速度和能量损耗有较高要求的电源转换场合, 如高频整流、开关电源输出级及各类高效电能处理系统中, 能够有效支持电路的稳定运行与能效优化。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

13

货期

现货

VSHFA08TB60-N3-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存13

VSHFA08TB60-N3-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 展现出良好的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流能力达100A, 适用于对开关速度和能量损耗有较高要求的电源转换场合, 如高频整流、开关电源输出级及各类高效电能处理系统中, 能够有效支持电路的稳定运行与能效优化。

VSHFA08TB60-N3-HXY特性

暂无产品特性。

VSHFA08TB60-N3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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