VSHFA08TB60-N3-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VSHFA08TB60-N3-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 展现出良好的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流能力达100A, 适用于对开关速度和能量损耗有较高要求的电源转换场合, 如高频整流、开关电源输出级及各类高效电能处理系统中, 能够有效支持电路的稳定运行与能效优化。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
13
货期
现货
VSHFA08TB60-N3-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 13 |
VSHFA08TB60-N3-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流低至10μA, 展现出良好的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流能力达100A, 适用于对开关速度和能量损耗有较高要求的电源转换场合, 如高频整流、开关电源输出级及各类高效电能处理系统中, 能够有效支持电路的稳定运行与能效优化。
VSHFA08TB60-N3-HXY特性
暂无产品特性。
VSHFA08TB60-N3-HXY应用领域
暂无应用领域。
