VSHFA08TB60-M3-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VSHFA08TB60-M3-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流(IFSM)。 其快速恢复特性有效减少开关过程中的能量损耗, 适用于对转换效率和动态响应要求较高的电源系统, 有助于提升整体电路的稳定性和能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
VSHFA08TB60-M3-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
VSHFA08TB60-M3-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流(IFSM)。 其快速恢复特性有效减少开关过程中的能量损耗, 适用于对转换效率和动态响应要求较高的电源系统, 有助于提升整体电路的稳定性和能效表现。
VSHFA08TB60-M3-HXY特性
暂无产品特性。
VSHFA08TB60-M3-HXY应用领域
暂无应用领域。
