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VSHFA08TB60-M3-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VSHFA08TB60-M3-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流(IFSM)。 其快速恢复特性有效减少开关过程中的能量损耗, 适用于对转换效率和动态响应要求较高的电源系统, 有助于提升整体电路的稳定性和能效表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

VSHFA08TB60-M3-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

VSHFA08TB60-M3-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流(IFSM)。 其快速恢复特性有效减少开关过程中的能量损耗, 适用于对转换效率和动态响应要求较高的电源系统, 有助于提升整体电路的稳定性和能效表现。

VSHFA08TB60-M3-HXY特性

暂无产品特性。

VSHFA08TB60-M3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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