VSHFA04TB60PBF-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VSHFA04TB60PBF-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.53V, 具备优异的导通性能。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为32A, 可有效应对瞬态过载条件。 器件利用碳化硅材料特性, 在高频、高温环境下保持稳定工作, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换及电力电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
VSHFA04TB60PBF-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
VSHFA04TB60PBF-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.53V, 具备优异的导通性能。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为32A, 可有效应对瞬态过载条件。 器件利用碳化硅材料特性, 在高频、高温环境下保持稳定工作, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换及电力电子系统中。
VSHFA04TB60PBF-HXY特性
暂无产品特性。
VSHFA04TB60PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
