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VSHFA04TB60PBF-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VSHFA04TB60PBF-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.53V, 具备优异的导通性能。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为32A, 可有效应对瞬态过载条件。 器件利用碳化硅材料特性, 在高频、高温环境下保持稳定工作, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换及电力电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

VSHFA04TB60PBF-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

VSHFA04TB60PBF-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.53V, 具备优异的导通性能。 其非重复峰值正向浪涌电流能力为32A, 可有效应对瞬态过载条件。 器件利用碳化硅材料特性, 在高频、高温环境下保持稳定工作, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换及电力电子系统中。

VSHFA04TB60PBF-HXY特性

暂无产品特性。

VSHFA04TB60PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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