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VSHFA04TB60-N3-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VSHFA04TB60-N3-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为4A, 最大反向重复峰值电压VR为650V, 典型正向压降VF为1.53V。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 具备快速恢复特性和低开关损耗。 由于碳化硅材料的固有优势, 其在高频、高效率电源系统中表现优异, 适用于对体积、温升和能效有严格要求的整流与续流应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

VSHFA04TB60-N3-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

VSHFA04TB60-N3-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为4A, 最大反向重复峰值电压VR为650V, 典型正向压降VF为1.53V。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 具备快速恢复特性和低开关损耗。 由于碳化硅材料的固有优势, 其在高频、高效率电源系统中表现优异, 适用于对体积、温升和能效有严格要求的整流与续流应用场景。

VSHFA04TB60-N3-HXY特性

暂无产品特性。

VSHFA04TB60-N3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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