VSHFA04TB60-N3-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VSHFA04TB60-N3-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为4A, 最大反向重复峰值电压VR为650V, 典型正向压降VF为1.53V。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 具备快速恢复特性和低开关损耗。 由于碳化硅材料的固有优势, 其在高频、高效率电源系统中表现优异, 适用于对体积、温升和能效有严格要求的整流与续流应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
VSHFA04TB60-N3-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
VSHFA04TB60-N3-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为4A, 最大反向重复峰值电压VR为650V, 典型正向压降VF为1.53V。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 具备快速恢复特性和低开关损耗。 由于碳化硅材料的固有优势, 其在高频、高效率电源系统中表现优异, 适用于对体积、温升和能效有严格要求的整流与续流应用场景。
VSHFA04TB60-N3-HXY特性
暂无产品特性。
VSHFA04TB60-N3-HXY应用领域
暂无应用领域。
