VSE002N03MS-G
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
VSE002N03MS-G
特性：增强模式。 低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 VitoMOSⅡ技术。 快速开关和高效率。 ESD保护HBM ±1500V。 无铅镀铅； 符合RoHS标准； 无卤
品牌
Vergiga
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
3,795
货期
现货
VSE002N03MS-G参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Vergiga(威兆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3795 |
VSE002N03MS-G概述
特性：增强模式。 低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 VitoMOSⅡ技术。 快速开关和高效率。 ESD保护HBM ±1500V。 无铅镀铅； 符合RoHS标准； 无卤
VSE002N03MS-G特性
暂无产品特性。
VSE002N03MS-G应用领域
暂无应用领域。