VSD011N10MS-G
IC
TO-252
可供量大可议
VSD011N10MS-G
特性：增强模式。 极低导通电阻 RDS(on)@VGS = 4.5V。 VitoMOS® II 技术。 100% 雪崩测试。 无铅引脚镀层， 符合 RoHS 标准
品牌
Vergiga
封装
TO-252
库存
244
货期
现货
VSD011N10MS-G参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Vergiga(威兆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 244 |
VSD011N10MS-G概述
特性：增强模式。 极低导通电阻 RDS(on)@VGS = 4.5V。 VitoMOS® II 技术。 100% 雪崩测试。 无铅引脚镀层， 符合 RoHS 标准
VSD011N10MS-G特性
暂无产品特性。
VSD011N10MS-G应用领域
暂无应用领域。