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VSD011N10HS-G
IC

TO-252

可供量大可议

VSD011N10HS-G

特性:增强模式。 VitoMOS II技术。 快速开关和高效率。 100%雪崩测试

品牌

Vergiga

封装

TO-252

库存

98

货期

现货

VSD011N10HS-G参数

封装TO-252
品牌Vergiga(威兆)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存98

VSD011N10HS-G概述

特性:增强模式。 VitoMOS II技术。 快速开关和高效率。 100%雪崩测试

VSD011N10HS-G特性

暂无产品特性。

VSD011N10HS-G应用领域

暂无应用领域。

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