VSC4PH3006LHN3-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
VSC4PH3006LHN3-HXY
该快恢复/高效率二极管采用1对共阴极配置, 正向平均电流为30A, 反向重复峰值电压达600V, 正向压降为1.59V, 反向漏电流仅为1μA。 器件具备250A的非重复浪涌正向电流承受能力, 恢复时间短, 开关损耗低。 其共阴极结构便于桥式或双输出拓扑中的布局布线, 在高频电源转换、功率因数校正及类似对效率和响应速度有较高要求的场合中表现稳定可靠。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
57
货期
现货
VSC4PH3006LHN3-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 57 |
VSC4PH3006LHN3-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用1对共阴极配置, 正向平均电流为30A, 反向重复峰值电压达600V, 正向压降为1.59V, 反向漏电流仅为1μA。 器件具备250A的非重复浪涌正向电流承受能力, 恢复时间短, 开关损耗低。 其共阴极结构便于桥式或双输出拓扑中的布局布线, 在高频电源转换、功率因数校正及类似对效率和响应速度有较高要求的场合中表现稳定可靠。
VSC4PH3006LHN3-HXY特性
暂无产品特性。
VSC4PH3006LHN3-HXY应用领域
暂无应用领域。
