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VSC4PH3006L-N3-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

VSC4PH3006L-N3-HXY

该快恢复/高效率二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为30A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.59V, 反向漏电流(IR)低至1μA, 体现出良好的导通与阻断性能。 器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流及开关电源等对效率和响应速度有较高要求的电路拓扑中, 共阴极结构便于桥式或双路输出设计, 提升布局紧凑性与系统可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

48

货期

现货

VSC4PH3006L-N3-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存48

VSC4PH3006L-N3-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为30A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.59V, 反向漏电流(IR)低至1μA, 体现出良好的导通与阻断性能。 器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流及开关电源等对效率和响应速度有较高要求的电路拓扑中, 共阴极结构便于桥式或双路输出设计, 提升布局紧凑性与系统可靠性。

VSC4PH3006L-N3-HXY特性

暂无产品特性。

VSC4PH3006L-N3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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