VSC4PH3006L-N3-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
VSC4PH3006L-N3-HXY
该快恢复/高效率二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为30A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.59V, 反向漏电流(IR)低至1μA, 体现出良好的导通与阻断性能。 器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流及开关电源等对效率和响应速度有较高要求的电路拓扑中, 共阴极结构便于桥式或双路输出设计, 提升布局紧凑性与系统可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
48
货期
现货
VSC4PH3006L-N3-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
VSC4PH3006L-N3-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为30A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.59V, 反向漏电流(IR)低至1μA, 体现出良好的导通与阻断性能。 器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流及开关电源等对效率和响应速度有较高要求的电路拓扑中, 共阴极结构便于桥式或双路输出设计, 提升布局紧凑性与系统可靠性。
VSC4PH3006L-N3-HXY特性
暂无产品特性。
VSC4PH3006L-N3-HXY应用领域
暂无应用领域。
