VSB3200-M3/54
IC
P600
可供量大可议
VSB3200-M3/54
特性：沟槽 MOS 肖特基技术。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 高正向浪涌能力。 ESD 能力。 高结温：直流正向电流下最高 230℃。 应用：用于太阳能电池接线盒， 作为旁路二极管进行保护， 使用无反向偏置的直流正向电流
品牌
VISHAY
封装
P600
库存
1
货期
现货
VSB3200-M3/54参数
| 封装 | P600 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
VSB3200-M3/54概述
特性：沟槽 MOS 肖特基技术。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 高正向浪涌能力。 ESD 能力。 高结温：直流正向电流下最高 230℃。 应用：用于太阳能电池接线盒， 作为旁路二极管进行保护， 使用无反向偏置的直流正向电流
VSB3200-M3/54特性
暂无产品特性。
VSB3200-M3/54应用领域
暂无应用领域。