VS8ETX06PBF-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VS8ETX06PBF-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 具备较低的导通损耗。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达88A, 展现出良好的瞬态电流承受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该器件在高频开关应用中表现出优异的效率与热稳定性, 适用于高频率电源转换、开关模式电源及各类对能效和体积有较高要求的电力电子系统。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-220C-2L
Stock
25
货期
现货
VS8ETX06PBF-HXYParameters
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
VS8ETX06PBF-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 具备较低的导通损耗。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达88A, 展现出良好的瞬态电流承受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该器件在高频开关应用中表现出优异的效率与热稳定性, 适用于高频率电源转换、开关模式电源及各类对能效和体积有较高要求的电力电子系统。
VS8ETX06PBF-HXY特性
暂无产品特性。
VS8ETX06PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
