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VS8ETX06PBF-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VS8ETX06PBF-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 具备较低的导通损耗。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达88A, 展现出良好的瞬态电流承受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该器件在高频开关应用中表现出优异的效率与热稳定性, 适用于高频率电源转换、开关模式电源及各类对能效和体积有较高要求的电力电子系统。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-220C-2L

Stock

25

货期

现货

VS8ETX06PBF-HXYParameters

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

VS8ETX06PBF-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 具备较低的导通损耗。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达88A, 展现出良好的瞬态电流承受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该器件在高频开关应用中表现出优异的效率与热稳定性, 适用于高频率电源转换、开关模式电源及各类对能效和体积有较高要求的电力电子系统。

VS8ETX06PBF-HXY特性

暂无产品特性。

VS8ETX06PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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