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VS8ETH06-N3-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VS8ETH06-N3-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。 其碳化硅材料特性带来更低的开关损耗与更高的工作温度耐受能力, 在高频、高功率密度的电力电子系统中展现出稳定可靠的运行表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

25

货期

现货

VS8ETH06-N3-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

VS8ETH06-N3-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。 其碳化硅材料特性带来更低的开关损耗与更高的工作温度耐受能力, 在高频、高功率密度的电力电子系统中展现出稳定可靠的运行表现。

VS8ETH06-N3-HXY特性

暂无产品特性。

VS8ETH06-N3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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