VS8ETH06-N3-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VS8ETH06-N3-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。 其碳化硅材料特性带来更低的开关损耗与更高的工作温度耐受能力, 在高频、高功率密度的电力电子系统中展现出稳定可靠的运行表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
25
货期
现货
VS8ETH06-N3-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
VS8ETH06-N3-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。 其碳化硅材料特性带来更低的开关损耗与更高的工作温度耐受能力, 在高频、高功率密度的电力电子系统中展现出稳定可靠的运行表现。
VS8ETH06-N3-HXY特性
暂无产品特性。
VS8ETH06-N3-HXY应用领域
暂无应用领域。
