VS8801GTH
IC
TO-220AB
可供量大可议
VS8801GTH
N沟道先进功率MOSFET， 增强模式， 低导通电阻， VitoMOS II技术， 100%雪崩测试和Rg测试， 优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率以降低开关损耗
品牌
Vergiga
封装
TO-220AB
库存
1,000
货期
现货
VS8801GTH参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | Vergiga(威兆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1000 |
VS8801GTH概述
N沟道先进功率MOSFET， 增强模式， 低导通电阻， VitoMOS II技术， 100%雪崩测试和Rg测试， 优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率以降低开关损耗
VS8801GTH特性
暂无产品特性。
VS8801GTH应用领域
暂无应用领域。