VS6614GE
IC
PDFN3333-8
可供量大可议
VS6614GE
特性：增强模式。 低导通电阻RDS(on)， 在VGS = 4.5V时。 VitoMOS II技术。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准
品牌
Vergiga
封装
PDFN3333-8
库存
4,795
货期
现货
VS6614GE参数
| 封装 | PDFN3333-8 |
|---|---|
| 品牌 | Vergiga(威兆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4795 |
VS6614GE概述
特性：增强模式。 低导通电阻RDS(on)， 在VGS = 4.5V时。 VitoMOS II技术。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准
VS6614GE特性
暂无产品特性。
VS6614GE应用领域
暂无应用领域。