VS6614DS
IC
SOP-8
可供量大可议
VS6614DS
双N沟道先进功率MOSFET， 增强模式， 低导通电阻， 采用VitoMOS II技术， 100%雪崩测试， 无铅镀铅， 符合RoHS和无卤标准
品牌
Vergiga
封装
SOP-8
库存
2,956
货期
现货
VS6614DS参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | Vergiga(威兆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2956 |
VS6614DS概述
双N沟道先进功率MOSFET， 增强模式， 低导通电阻， 采用VitoMOS II技术， 100%雪崩测试， 无铅镀铅， 符合RoHS和无卤标准
VS6614DS特性
暂无产品特性。
VS6614DS应用领域
暂无应用领域。