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VS4C06ET07THM3-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VS4C06ET07THM3-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.36V, 在浪涌条件下可承受高达66A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能, 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换场合。 其电气参数组合使其在紧凑型高功率密度设计中具备良好的适配性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

VS4C06ET07THM3-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

VS4C06ET07THM3-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.36V, 在浪涌条件下可承受高达66A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能, 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换场合。 其电气参数组合使其在紧凑型高功率密度设计中具备良好的适配性。

VS4C06ET07THM3-HXY特性

暂无产品特性。

VS4C06ET07THM3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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