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VS4C06ET07T-M3-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VS4C06ET07T-M3-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.36V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达66A。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速恢复能力、较低的导通损耗以及良好的高温工作性能, 适用于高效率、高频率的电源转换场合, 尤其在对热管理和动态响应有较高要求的电路中表现突出。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

14

货期

现货

VS4C06ET07T-M3-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存14

VS4C06ET07T-M3-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.36V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达66A。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速恢复能力、较低的导通损耗以及良好的高温工作性能, 适用于高效率、高频率的电源转换场合, 尤其在对热管理和动态响应有较高要求的电路中表现突出。

VS4C06ET07T-M3-HXY特性

暂无产品特性。

VS4C06ET07T-M3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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