VS4C06ET07T-M3-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VS4C06ET07T-M3-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.36V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达66A。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速恢复能力、较低的导通损耗以及良好的高温工作性能, 适用于高效率、高频率的电源转换场合, 尤其在对热管理和动态响应有较高要求的电路中表现突出。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
14
货期
现货
VS4C06ET07T-M3-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 14 |
VS4C06ET07T-M3-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.36V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达66A。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速恢复能力、较低的导通损耗以及良好的高温工作性能, 适用于高效率、高频率的电源转换场合, 尤其在对热管理和动态响应有较高要求的电路中表现突出。
VS4C06ET07T-M3-HXY特性
暂无产品特性。
VS4C06ET07T-M3-HXY应用领域
暂无应用领域。
