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VS3EGH06-M3/5BT-HXY
IC

SMB

可供量大可议

VS3EGH06-M3/5BT-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具有3A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向重复电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表明在阻断状态下具备优异的绝缘性能。 器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频开关电源、AC-DC整流及对恢复特性要求较高的电力电子应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

45

货期

现货

VS3EGH06-M3/5BT-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存45

VS3EGH06-M3/5BT-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具有3A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向重复电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表明在阻断状态下具备优异的绝缘性能。 器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频开关电源、AC-DC整流及对恢复特性要求较高的电力电子应用场合。

VS3EGH06-M3/5BT-HXY特性

暂无产品特性。

VS3EGH06-M3/5BT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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