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VS3C08ET07T-M3-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VS3C08ET07T-M3-HXY

该碳化硅二极管为单体结构, 额定正向电流(IF)为8A, 反向重复电压(VR)达650V, 适用于中等功率电力转换电路。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 在高频开关条件下可显著降低导通损耗, 提升整体能效。 得益于碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性, 器件具备优异的高温工作稳定性与快速恢复性能。 典型应用场景包括高效AC-DC/DC-DC电源模块、服务器电源系统、通信设备供电单元及可再生能源发电中的功率调节装置, 适合对空间利用率和热管理有较高要求的设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

VS3C08ET07T-M3-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

VS3C08ET07T-M3-HXY概述

该碳化硅二极管为单体结构, 额定正向电流(IF)为8A, 反向重复电压(VR)达650V, 适用于中等功率电力转换电路。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 在高频开关条件下可显著降低导通损耗, 提升整体能效。 得益于碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性, 器件具备优异的高温工作稳定性与快速恢复性能。 典型应用场景包括高效AC-DC/DC-DC电源模块、服务器电源系统、通信设备供电单元及可再生能源发电中的功率调节装置, 适合对空间利用率和热管理有较高要求的设计。

VS3C08ET07T-M3-HXY特性

暂无产品特性。

VS3C08ET07T-M3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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