VS3C08ET07T-M3-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VS3C08ET07T-M3-HXY
该碳化硅二极管为单体结构, 额定正向电流(IF)为8A, 反向重复电压(VR)达650V, 适用于中等功率电力转换电路。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 在高频开关条件下可显著降低导通损耗, 提升整体能效。 得益于碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性, 器件具备优异的高温工作稳定性与快速恢复性能。 典型应用场景包括高效AC-DC/DC-DC电源模块、服务器电源系统、通信设备供电单元及可再生能源发电中的功率调节装置, 适合对空间利用率和热管理有较高要求的设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
VS3C08ET07T-M3-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
VS3C08ET07T-M3-HXY概述
该碳化硅二极管为单体结构, 额定正向电流(IF)为8A, 反向重复电压(VR)达650V, 适用于中等功率电力转换电路。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 在高频开关条件下可显著降低导通损耗, 提升整体能效。 得益于碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性, 器件具备优异的高温工作稳定性与快速恢复性能。 典型应用场景包括高效AC-DC/DC-DC电源模块、服务器电源系统、通信设备供电单元及可再生能源发电中的功率调节装置, 适合对空间利用率和热管理有较高要求的设计。
VS3C08ET07T-M3-HXY特性
暂无产品特性。
VS3C08ET07T-M3-HXY应用领域
暂无应用领域。
