VS3C04ET07T-M3-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VS3C04ET07T-M3-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.53V, 可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料, 具备快速恢复特性与低导通损耗, 在高频开关环境中表现出稳定的电气性能, 适用于高效率电源转换、功率因数校正以及各类需要高耐压与高可靠性的整流电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
VS3C04ET07T-M3-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
VS3C04ET07T-M3-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.53V, 可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料, 具备快速恢复特性与低导通损耗, 在高频开关环境中表现出稳定的电气性能, 适用于高效率电源转换、功率因数校正以及各类需要高耐压与高可靠性的整流电路。
VS3C04ET07T-M3-HXY特性
暂无产品特性。
VS3C04ET07T-M3-HXY应用领域
暂无应用领域。
