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VS3C04ET07T-M3-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VS3C04ET07T-M3-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.53V, 可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料, 具备快速恢复特性与低导通损耗, 在高频开关环境中表现出稳定的电气性能, 适用于高效率电源转换、功率因数校正以及各类需要高耐压与高可靠性的整流电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

VS3C04ET07T-M3-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

VS3C04ET07T-M3-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.53V, 可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料, 具备快速恢复特性与低导通损耗, 在高频开关环境中表现出稳定的电气性能, 适用于高效率电源转换、功率因数校正以及各类需要高耐压与高可靠性的整流电路。

VS3C04ET07T-M3-HXY特性

暂无产品特性。

VS3C04ET07T-M3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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