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VS30MQ040HM3/5AT-HXY
IC

SMA

可供量大可议

VS30MQ040HM3/5AT-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为500μA, 适用于对能效和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 具备良好的瞬态耐受能力。 该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景, 凭借低VF特性有助于提升整体系统效率。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

VS30MQ040HM3/5AT-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

VS30MQ040HM3/5AT-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为500μA, 适用于对能效和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 具备良好的瞬态耐受能力。 该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景, 凭借低VF特性有助于提升整体系统效率。

VS30MQ040HM3/5AT-HXY特性

暂无产品特性。

VS30MQ040HM3/5AT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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