VS30MQ040HM3/5AT-HXY
IC
SMA
可供量大可议
VS30MQ040HM3/5AT-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为500μA, 适用于对能效和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 具备良好的瞬态耐受能力。 该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景, 凭借低VF特性有助于提升整体系统效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
185
货期
现货
VS30MQ040HM3/5AT-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
VS30MQ040HM3/5AT-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为500μA, 适用于对能效和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 具备良好的瞬态耐受能力。 该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景, 凭借低VF特性有助于提升整体系统效率。
VS30MQ040HM3/5AT-HXY特性
暂无产品特性。
VS30MQ040HM3/5AT-HXY应用领域
暂无应用领域。
