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VS30CTQ100HN3-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

VS30CTQ100HN3-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达250A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场合, 常见于电源转换、适配器及各类电子设备的输出级电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

24

货期

现货

VS30CTQ100HN3-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存24

VS30CTQ100HN3-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达250A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场合, 常见于电源转换、适配器及各类电子设备的输出级电路中。

VS30CTQ100HN3-HXY特性

暂无产品特性。

VS30CTQ100HN3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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