VS30CTQ100-M3-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
VS30CTQ100-M3-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降低至0.8V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达250A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
198
货期
现货
VS30CTQ100-M3-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 198 |
VS30CTQ100-M3-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降低至0.8V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达250A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等应用场景。
VS30CTQ100-M3-HXY特性
暂无产品特性。
VS30CTQ100-M3-HXY应用领域
暂无应用领域。
