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VS30CTQ100-M3-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

VS30CTQ100-M3-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降低至0.8V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达250A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

198

货期

现货

VS30CTQ100-M3-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存198

VS30CTQ100-M3-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降低至0.8V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达250A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等应用场景。

VS30CTQ100-M3-HXY特性

暂无产品特性。

VS30CTQ100-M3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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