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VS30CTQ080HN3-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

VS30CTQ080HN3-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降低至0.8V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流典型值为100μA, 在高效率电源转换中表现稳定。 器件可承受高达250A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对热性能和可靠性要求较高的整流与续流场景, 常见于开关电源、逆变器及高频整流电路等应用中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

24

货期

现货

VS30CTQ080HN3-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存24

VS30CTQ080HN3-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降低至0.8V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流典型值为100μA, 在高效率电源转换中表现稳定。 器件可承受高达250A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对热性能和可靠性要求较高的整流与续流场景, 常见于开关电源、逆变器及高频整流电路等应用中。

VS30CTQ080HN3-HXY特性

暂无产品特性。

VS30CTQ080HN3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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