VS30CTQ080HN3-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
VS30CTQ080HN3-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降低至0.8V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流典型值为100μA, 在高效率电源转换中表现稳定。 器件可承受高达250A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对热性能和可靠性要求较高的整流与续流场景, 常见于开关电源、逆变器及高频整流电路等应用中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
24
货期
现货
VS30CTQ080HN3-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
VS30CTQ080HN3-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降低至0.8V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流典型值为100μA, 在高效率电源转换中表现稳定。 器件可承受高达250A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对热性能和可靠性要求较高的整流与续流场景, 常见于开关电源、逆变器及高频整流电路等应用中。
VS30CTQ080HN3-HXY特性
暂无产品特性。
VS30CTQ080HN3-HXY应用领域
暂无应用领域。
