VS30CTQ050-M3-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
VS30CTQ050-M3-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 具有30A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降为0.48V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流为40μA, 体现出较低的关断态漏电特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出级及低压大电流供电路径等场合, 在保障电路效率的同时提升系统稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
49
货期
现货
VS30CTQ050-M3-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
VS30CTQ050-M3-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 具有30A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降为0.48V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流为40μA, 体现出较低的关断态漏电特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出级及低压大电流供电路径等场合, 在保障电路效率的同时提升系统稳定性。
VS30CTQ050-M3-HXY特性
暂无产品特性。
VS30CTQ050-M3-HXY应用领域
暂无应用领域。
