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VS30CTQ050-M3-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

VS30CTQ050-M3-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 具有30A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降为0.48V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流为40μA, 体现出较低的关断态漏电特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出级及低压大电流供电路径等场合, 在保障电路效率的同时提升系统稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

49

货期

现货

VS30CTQ050-M3-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存49

VS30CTQ050-M3-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 具有30A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降为0.48V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流为40μA, 体现出较低的关断态漏电特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出级及低压大电流供电路径等场合, 在保障电路效率的同时提升系统稳定性。

VS30CTQ050-M3-HXY特性

暂无产品特性。

VS30CTQ050-M3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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