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VS30CTQ040HN3-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

VS30CTQ040HN3-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 具备30A的平均正向电流(IF)和45V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.48V, 有效降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为40μA, 展现出良好的反向截止特性。 器件能承受高达280A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率整流、开关电源输出以及对热性能和能效要求较高的各类电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

48

货期

现货

VS30CTQ040HN3-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

VS30CTQ040HN3-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 具备30A的平均正向电流(IF)和45V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.48V, 有效降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为40μA, 展现出良好的反向截止特性。 器件能承受高达280A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率整流、开关电源输出以及对热性能和能效要求较高的各类电子系统中。

VS30CTQ040HN3-HXY特性

暂无产品特性。

VS30CTQ040HN3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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