VS30CTQ040-M3-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
VS30CTQ040-M3-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降低至0.48V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为40μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流与高频开关电路中, 常见于各类消费电子及通信设备的电源管理模块。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
48
货期
现货
VS30CTQ040-M3-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
VS30CTQ040-M3-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降低至0.48V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为40μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流与高频开关电路中, 常见于各类消费电子及通信设备的电源管理模块。
VS30CTQ040-M3-HXY特性
暂无产品特性。
VS30CTQ040-M3-HXY应用领域
暂无应用领域。
