库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
VS30CTQ040-M3-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

VS30CTQ040-M3-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降低至0.48V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为40μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流与高频开关电路中, 常见于各类消费电子及通信设备的电源管理模块。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

48

货期

现货

VS30CTQ040-M3-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

VS30CTQ040-M3-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降低至0.48V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为40μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流与高频开关电路中, 常见于各类消费电子及通信设备的电源管理模块。

VS30CTQ040-M3-HXY特性

暂无产品特性。

VS30CTQ040-M3-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件