VS30BQ100-M3/9AT-HXY
IC
SMC
可供量大可议
VS30BQ100-M3/9AT-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为20μA, 有助于提升系统效率与稳定性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
45
货期
现货
VS30BQ100-M3/9AT-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 45 |
VS30BQ100-M3/9AT-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为20μA, 有助于提升系统效率与稳定性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。
VS30BQ100-M3/9AT-HXY特性
暂无产品特性。
VS30BQ100-M3/9AT-HXY应用领域
暂无应用领域。
