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VS20MQ100NTRPBF-HXY
IC

SMA

可供量大可议

VS20MQ100NTRPBF-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为100V。 其典型正向压降为0.85V, 在导通时能有效降低功耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率、热性能及瞬态耐受能力有较高要求的整流、续流及高频开关电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

VS20MQ100NTRPBF-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

VS20MQ100NTRPBF-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为100V。 其典型正向压降为0.85V, 在导通时能有效降低功耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率、热性能及瞬态耐受能力有较高要求的整流、续流及高频开关电路中。

VS20MQ100NTRPBF-HXY特性

暂无产品特性。

VS20MQ100NTRPBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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