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VS20MQ060HM3/5AT-HXY
IC

SMA

可供量大可议

VS20MQ060HM3/5AT-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)最大为500μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

VS20MQ060HM3/5AT-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

VS20MQ060HM3/5AT-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)最大为500μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

VS20MQ060HM3/5AT-HXY特性

暂无产品特性。

VS20MQ060HM3/5AT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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