VS15ETH06HN3-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VS15ETH06HN3-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备较低的导通损耗。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率、热稳定性和动态响应要求较高的电源转换系统。 其碳化硅材料特性支持高频工作, 并在高结温条件下保持可靠性能, 适合用于高功率密度的电力电子应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
14
货期
现货
VS15ETH06HN3-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 14 |
VS15ETH06HN3-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备较低的导通损耗。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率、热稳定性和动态响应要求较高的电源转换系统。 其碳化硅材料特性支持高频工作, 并在高结温条件下保持可靠性能, 适合用于高功率密度的电力电子应用。
VS15ETH06HN3-HXY特性
暂无产品特性。
VS15ETH06HN3-HXY应用领域
暂无应用领域。
