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VS15ETH06-N3-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VS15ETH06-N3-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具有15A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA。 器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度与能效要求较高的电源拓扑结构, 在高频整流、开关电源及紧凑型电力转换系统中, 有助于减少开关损耗并维持良好的热稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

VS15ETH06-N3-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

VS15ETH06-N3-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具有15A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA。 器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度与能效要求较高的电源拓扑结构, 在高频整流、开关电源及紧凑型电力转换系统中, 有助于减少开关损耗并维持良好的热稳定性。

VS15ETH06-N3-HXY特性

暂无产品特性。

VS15ETH06-N3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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