VS15ETH06-N3-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VS15ETH06-N3-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具有15A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA。 器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度与能效要求较高的电源拓扑结构, 在高频整流、开关电源及紧凑型电力转换系统中, 有助于减少开关损耗并维持良好的热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
VS15ETH06-N3-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
VS15ETH06-N3-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具有15A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA。 器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度与能效要求较高的电源拓扑结构, 在高频整流、开关电源及紧凑型电力转换系统中, 有助于减少开关损耗并维持良好的热稳定性。
VS15ETH06-N3-HXY特性
暂无产品特性。
VS15ETH06-N3-HXY应用领域
暂无应用领域。
