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VS10MQ060-M3/5AT-HXY
IC

SMA

可供量大可议

VS10MQ060-M3/5AT-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通状态下维持较低功耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、开关电源输出以及高频电路中的续流和箝位等应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

180

货期

现货

VS10MQ060-M3/5AT-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存180

VS10MQ060-M3/5AT-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通状态下维持较低功耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、开关电源输出以及高频电路中的续流和箝位等应用。

VS10MQ060-M3/5AT-HXY特性

暂无产品特性。

VS10MQ060-M3/5AT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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