VS10MQ060-M3/5AT-HXY
IC
SMA
可供量大可议
VS10MQ060-M3/5AT-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通状态下维持较低功耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、开关电源输出以及高频电路中的续流和箝位等应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
180
货期
现货
VS10MQ060-M3/5AT-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
VS10MQ060-M3/5AT-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通状态下维持较低功耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、开关电源输出以及高频电路中的续流和箝位等应用。
VS10MQ060-M3/5AT-HXY特性
暂无产品特性。
VS10MQ060-M3/5AT-HXY应用领域
暂无应用领域。
