VS10MQ040HM3/5AT-HXY
IC
SMA
可供量大可议
VS10MQ040HM3/5AT-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通时可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及续流路径等对效率和响应速度有要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
170
货期
现货
VS10MQ040HM3/5AT-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 170 |
VS10MQ040HM3/5AT-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通时可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及续流路径等对效率和响应速度有要求的电子电路中。
VS10MQ040HM3/5AT-HXY特性
暂无产品特性。
VS10MQ040HM3/5AT-HXY应用领域
暂无应用领域。
