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VS10MQ040HM3/5AT-HXY
IC

SMA

可供量大可议

VS10MQ040HM3/5AT-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通时可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及续流路径等对效率和响应速度有要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

170

货期

现货

VS10MQ040HM3/5AT-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存170

VS10MQ040HM3/5AT-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通时可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)不超过500μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及续流路径等对效率和响应速度有要求的电子电路中。

VS10MQ040HM3/5AT-HXY特性

暂无产品特性。

VS10MQ040HM3/5AT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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