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VS-HFA08TB60PBF-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

VS-HFA08TB60PBF-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 并可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其快速恢复特性有效降低开关过程中的能量损耗, 在高频整流和电源转换等应用中表现出良好的动态响应与能效表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

VS-HFA08TB60PBF-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

VS-HFA08TB60PBF-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 并可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其快速恢复特性有效降低开关过程中的能量损耗, 在高频整流和电源转换等应用中表现出良好的动态响应与能效表现。

VS-HFA08TB60PBF-HXY特性

暂无产品特性。

VS-HFA08TB60PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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