VS-HFA08TB60PBF-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
VS-HFA08TB60PBF-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 并可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其快速恢复特性有效降低开关过程中的能量损耗, 在高频整流和电源转换等应用中表现出良好的动态响应与能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
VS-HFA08TB60PBF-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
VS-HFA08TB60PBF-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 并可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 其快速恢复特性有效降低开关过程中的能量损耗, 在高频整流和电源转换等应用中表现出良好的动态响应与能效表现。
VS-HFA08TB60PBF-HXY特性
暂无产品特性。
VS-HFA08TB60PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
