VS-E4PU6006LHN3

Gen 4 Fred技术， 先进的超低VF， 针对不连续（临界）模式（DCM）和IGBT F/W二极管进行软开关优化。 最小化的传导损耗、优化的存储电荷和低恢复电流可最小化开关损耗， 并减少开关元件和缓冲器的过耗散。