VS-1EQH02HM3/H
IC
DO-219AD
可供量大可议
VS-1EQH02HM3/H
特性：非常低的外形。 典型高度为 0.65mm。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功耗。 低漏电流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级， LF 最大峰值为 260℃。 应用：高频应用。 续流应用
品牌
VISHAY
封装
DO-219AD
库存
4,490
货期
现货
VS-1EQH02HM3/H参数
| 封装 | DO-219AD |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 正向压降(Vf) | 970mV@1A |
| 整流电流 | 1A |
| 反向恢复时间(Trr) | 23ns |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 30A |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 4490 |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 直流反向耐压(Vr) | 200V |
| 反向电流(Ir) | 1uA@200V |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
VS-1EQH02HM3/H概述
快恢复/高效率二极管 970mV@1A 200V 1uA@200V 1A
VS-1EQH02HM3/H特性
暂无产品特性。
VS-1EQH02HM3/H应用领域
暂无应用领域。