VOS618A-8T
IC
SOIC-4-175mil
可供量大可议
VOS618A-8T
VOS618A系列采用了砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器, 该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合, 并采用4引脚、引脚间距为50密耳的微型扁平封装。 其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
品牌
VISHAY
封装
SOIC-4-175mil
库存
4
货期
现货
VOS618A-8T参数
| 封装 | SOIC-4-175mil |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
VOS618A-8T概述
VOS618A系列采用了砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器, 该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合, 并采用4引脚、引脚间距为50密耳的微型扁平封装。 其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
VOS618A-8T特性
暂无产品特性。
VOS618A-8T应用领域
暂无应用领域。
