VO618A-3

额定温度为110℃， 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。 这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器， 该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合， 并集成在塑料DIP-4封装中。 耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。 耦合器可端部堆叠， 间距为2.54mm。 选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。 此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准， 适用于最高400VRMS或直流的工作电压。