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VO617A-9
IC

DIP-4

可供量大可议

VO617A-9

额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 这些耦合器采用了砷化镓(GaAs)红外发光二极管, 该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合, 并封装在塑料DIP - 4封装中。 这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

品牌

VISHAY

封装

DIP-4

库存

70

货期

现货

VO617A-9参数

封装DIP-4
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 5
分类晶体管输出光耦
库存70

VO617A-9概述

额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 这些耦合器采用了砷化镓(GaAs)红外发光二极管, 该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合, 并封装在塑料DIP - 4封装中。 这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

VO617A-9特性

暂无产品特性。

VO617A-9应用领域

暂无应用领域。

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