VO617A-2X017T

额定温度为110℃， 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。 这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管， 它与一个硅平面光电晶体管探测器光耦合， 并封装在一个塑料DIP-4封装中。 这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。 这些耦合器端部可堆叠， 间距为2.54mm。 选择选项6和选项8可实现>8.0mm的爬电距离和电气间隙。 此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0805)， 适用于高达400Vₚ₋ₚ或直流的工作电压的加强绝缘。