VO0630T
IC
SOIC-8
可供量大可议
VO0630T
单通道和双通道 10 MBd 光耦合器， 采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。 探测器具有漏极开路 NMOS 晶体管输出， 与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比， 泄漏更少。 对于单通道类型， 引脚 7 上的使能功能允许对探测器进行选通。 内部屏蔽为 VO0601T 和 VO0631T 提供 5 kV/μs 的共模瞬态抗扰度， 为 VO0611T 和 VO0661T 提供 15 kV/μs 的共模瞬态抗扰度。 建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1 μF 的旁路电容。
品牌
VISHAY
封装
SOIC-8
库存
1
货期
现货
VO0630T参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 逻辑输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
VO0630T概述
单通道和双通道 10 MBd 光耦合器， 采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。 探测器具有漏极开路 NMOS 晶体管输出， 与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比， 泄漏更少。 对于单通道类型， 引脚 7 上的使能功能允许对探测器进行选通。 内部屏蔽为 VO0601T 和 VO0631T 提供 5 kV/μs 的共模瞬态抗扰度， 为 VO0611T 和 VO0661T 提供 15 kV/μs 的共模瞬态抗扰度。 建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1 μF 的旁路电容。
VO0630T特性
暂无产品特性。
VO0630T应用领域
暂无应用领域。