VLS252012HBX-R33M-1
IC
1008
可供量大可议
VLS252012HBX-R33M-1
特性：磁屏蔽型绕线电感, 用于使用金属磁性材料的电源电路。 高磁屏蔽结构, 适合高密度安装。 金属磁性材料实现更大电流。 应用：智能手机。 平板电脑
品牌
TDK
封装
1008
库存
10
货期
现货
VLS252012HBX-R33M-1参数
| 封装 | 1008 |
|---|---|
| 品牌 | TDK |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 功率电感 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VLS252012HBX-R33M-1概述
特性：磁屏蔽型绕线电感, 用于使用金属磁性材料的电源电路。 高磁屏蔽结构, 适合高密度安装。 金属磁性材料实现更大电流。 应用：智能手机。 平板电脑
VLS252012HBX-R33M-1特性
暂无产品特性。
VLS252012HBX-R33M-1应用领域
暂无应用领域。