VLS252010ET-2R2M
IC
1008
可供量大可议
VLS252010ET-2R2M
特性：磁屏蔽型的电源电路用绕组型电感器。 低背设计产品。 磁屏蔽结构, 可实现高密度安装。 应用：智能手机。 平板终端
品牌
TDK
封装
1008
库存
2,000
货期
现货
VLS252010ET-2R2M参数
| 封装 | 1008 |
|---|---|
| 品牌 | TDK |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 精度 | ±20% |
| 饱和电流(Isat) | 1.2A |
| 商品名称 | 2.2uH ±20% 1.2A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 功率电感 |
| 分类 | 功率电感 |
|---|---|
| 库存 | 2000 |
| 电感值 | 2.2uH |
| 额定电流 | 1.2A |
| 直流电阻(DCR) | 190mΩ |
| 商品型号 | VLS252010ET-2R2M |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 8e-05 |
VLS252010ET-2R2M概述
特性：磁屏蔽型的电源电路用绕组型电感器。 低背设计产品。 磁屏蔽结构, 可实现高密度安装。 应用：智能手机。 平板终端
VLS252010ET-2R2M特性
暂无产品特性。
VLS252010ET-2R2M应用领域
暂无应用领域。