VFT4045BP-M3/4W
IC
ITO-220AC
可供量大可议
VFT4045BP-M3/4W
特性：沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功耗。 高效运行。 最高焊接浴温度275℃， 持续10s。 应用：用于太阳能电池接线盒， 作为旁路二极管进行保护， 使用无反向偏置的直流正向电流
品牌
VISHAY
封装
ITO-220AC
库存
46
货期
现货
VFT4045BP-M3/4W参数
| 封装 | ITO-220AC |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 46 |
VFT4045BP-M3/4W概述
特性：沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功耗。 高效运行。 最高焊接浴温度275℃， 持续10s。 应用：用于太阳能电池接线盒， 作为旁路二极管进行保护， 使用无反向偏置的直流正向电流
VFT4045BP-M3/4W特性
暂无产品特性。
VFT4045BP-M3/4W应用领域
暂无应用领域。