VFT10200C-E3/4W-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
VFT10200C-E3/4W-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 正向平均电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)为200V。 其正向压降(VF)为1.2V, 反向漏电流(IR)典型值为100μA, 具备良好的导通与阻断特性。 器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理等场景, 满足对效率和稳定性的要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
48
货期
现货
VFT10200C-E3/4W-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
VFT10200C-E3/4W-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 正向平均电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)为200V。 其正向压降(VF)为1.2V, 反向漏电流(IR)典型值为100μA, 具备良好的导通与阻断特性。 器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理等场景, 满足对效率和稳定性的要求。
VFT10200C-E3/4W-HXY特性
暂无产品特性。
VFT10200C-E3/4W-HXY应用领域
暂无应用领域。
