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VFT10200C-E3/4W-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

VFT10200C-E3/4W-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 正向平均电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)为200V。 其正向压降(VF)为1.2V, 反向漏电流(IR)典型值为100μA, 具备良好的导通与阻断特性。 器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理等场景, 满足对效率和稳定性的要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

48

货期

现货

VFT10200C-E3/4W-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

VFT10200C-E3/4W-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 正向平均电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)为200V。 其正向压降(VF)为1.2V, 反向漏电流(IR)典型值为100μA, 具备良好的导通与阻断特性。 器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理等场景, 满足对效率和稳定性的要求。

VFT10200C-E3/4W-HXY特性

暂无产品特性。

VFT10200C-E3/4W-HXY应用领域

暂无应用领域。

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