VF30200C-E3/4W-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
VF30200C-E3/4W-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为30A, 最大反向电压VR达200V, 正向压降VF典型值为1.1V, 反向漏电流IR不超过100μA, 具备优异的导通特性与低损耗表现。 其峰值正向浪涌电流IFSM高达350A, 适用于对高效率和高可靠性有要求的电源整流、开关模式电源输出级以及高频逆变器等电路场合, 能够有效提升系统能效并保障稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
43
货期
现货
VF30200C-E3/4W-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 43 |
VF30200C-E3/4W-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为30A, 最大反向电压VR达200V, 正向压降VF典型值为1.1V, 反向漏电流IR不超过100μA, 具备优异的导通特性与低损耗表现。 其峰值正向浪涌电流IFSM高达350A, 适用于对高效率和高可靠性有要求的电源整流、开关模式电源输出级以及高频逆变器等电路场合, 能够有效提升系统能效并保障稳定运行。
VF30200C-E3/4W-HXY特性
暂无产品特性。
VF30200C-E3/4W-HXY应用领域
暂无应用领域。
