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VF30200C-E3/4W-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

VF30200C-E3/4W-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为30A, 最大反向电压VR达200V, 正向压降VF典型值为1.1V, 反向漏电流IR不超过100μA, 具备优异的导通特性与低损耗表现。 其峰值正向浪涌电流IFSM高达350A, 适用于对高效率和高可靠性有要求的电源整流、开关模式电源输出级以及高频逆变器等电路场合, 能够有效提升系统能效并保障稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

43

货期

现货

VF30200C-E3/4W-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存43

VF30200C-E3/4W-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为30A, 最大反向电压VR达200V, 正向压降VF典型值为1.1V, 反向漏电流IR不超过100μA, 具备优异的导通特性与低损耗表现。 其峰值正向浪涌电流IFSM高达350A, 适用于对高效率和高可靠性有要求的电源整流、开关模式电源输出级以及高频逆变器等电路场合, 能够有效提升系统能效并保障稳定运行。

VF30200C-E3/4W-HXY特性

暂无产品特性。

VF30200C-E3/4W-HXY应用领域

暂无应用领域。

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