VF30100S-E3/4W

特性：沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最高峰值245℃（适用于TO-263AB封装）。 焊接浴温度最高275℃， 持续10s， 符合JESD 22-B106（适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装）。 应用：用于高频转换器、开关电源、续流二极管、或二极管、DC/DC转换器和反接电池保护。